包含角部凹陷的半导体装置

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专利状态

包含角部凹陷的半导体装置

失效

专利申请进度

申请

2016-12-20

申请公布

2018-06-26

授权

2020-06-02

预估到期

2036-12-20

专利基础信息

申请号	CN201611187693.5	申请日	2016-12-20
申请公布号	CN108206161A	申请公布日	2018-06-26
授权公布号	CN108206161B	授权公告日	2020-06-02
分类号	H01L23/00;H01L21/78
分类	基本电气元件;
申请人名称	晟碟半导体（上海）有限公司
申请人地址	上海市闵行区江川东路388号

专利法律状态

2023-12-29

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L 23/00；专利号:ZL2016111876935；申请日:20161220；授权公告日:20200602；终止日期:
2020-06-02

授权

状态信息

授权
2018-07-20

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效；IPC(主分类):H01L23/00；申请日:20161220
2018-06-26

公布

状态信息

公布

摘要

公开了一种半导体裸芯，其包含角部凹陷，以避免制造过程中半导体裸芯破裂。在从晶片切片半导体裸芯之前，可以在晶片中、半导体裸芯的任意对之间的角部处形成凹陷。可以通过激光或光刻工艺在半导体裸芯之间的切口区域中形成凹陷。一经形成，角部凹陷防止半导体裸芯的破裂或损坏，否则，由于在背面研磨工艺期间相邻的半导体裸芯相对于彼此移动，该破裂或损坏可能发生在相邻的半导体裸芯的角部。

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