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专利状态
具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法
失效
专利申请进度
申请
2015-11-02
申请公布
2017-05-10
授权
2020-04-21
预估到期
2035-11-02
专利基础信息
申请号
CN201510751041.9
申请日
2015-11-02
申请公布号
CN106653734A
申请公布日
2017-05-10
授权公布号
CN106653734B
授权公告日
2020-04-21
分类号
H01L23/552
分类
基本电气元件;
申请人名称
晟碟半导体(上海)有限公司
申请人地址
上海市闵行区江川东路388号
专利法律状态
2023-11-10
专利权的终止
状态信息
未缴年费专利权终止;IPC(主分类):H01L 23/552;专利号:ZL2015107510419;申请日:20151102;授权公告日:20200421;终止日期:
2020-04-21
授权
状态信息
授权
2017-06-06
实质审查的生效
状态信息
实质审查的生效;IPC(主分类):H01L23/552;申请日:20151102
2017-05-10
公布
状态信息
公布
摘要
公开了一种半导体装置以及该半导体装置的制造方法。该半导体装置包括:具有第一侧的基板;多个电元件,设置在该基板的第一侧上,使得该基板和该多个电元件具有在该基板的第一侧上暴露的表面;以及导电模塑料,其包封该基板和该多个电元件在该基板的第一侧上的暴露的表面,并为该多个电元件提供电磁干扰(EMI)屏蔽。
更多专利
1
具有间隔体层的半导体装置、其形成方法和间隔体层带
2
包括用于嵌入和/或隔开半导体裸芯的独立膜层的半导体器件
3
倾斜裸芯堆叠体
4
包括导电凸块互连的半导体器件
5
具有电磁干扰屏蔽的半导体装置及其制造方法
6
包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置
7
包含角部凹陷的半导体装置
8
包含在裸芯边缘处的裸芯接合垫的半导体装置
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