一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法

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专利状态

一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法

有效

专利申请进度

申请

2013-01-23

申请公布

2014-07-23

授权

2017-03-15

预估到期

2033-01-23

专利基础信息

申请号	CN201310023732.8	申请日	2013-01-23
申请公布号	CN103943731A	申请公布日	2014-07-23
授权公布号	CN103943731B	授权公告日	2017-03-15
分类号	H01L33/00
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区清华同方科技广场A座29层

专利法律状态

2017-03-15

授权

状态信息

授权
2014-12-03

实质审查的生效

状态信息

实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/00申请日:20130123
2014-07-23

公布

状态信息

公布

摘要

一种提高氮化物LED外延片发射波长均匀性的生长方法，涉及半导体光电子领域。本发明的方法步骤为：对外延片进行有源区薄膜生长时，先确定凹槽表面的等温面空间分布及其弯曲度；调整托盘的加热温度，使外延片表面的温度与目标发射波长相匹配；同时，通过改变外延片的结构参数和工艺条件来调整其弯曲度，使外延片弯曲度和凹槽表面等温面的弯曲度相等。同现有技术相比，本发明生长方法通过控制外延片晶体生长时的弯曲度，有效提高氮化物LED或LD外延片发射波长均匀性。

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