用于发光二极管的透明导电薄膜

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专利状态

用于发光二极管的透明导电薄膜

失效

专利申请进度

申请

2013-01-23

授权

2013-07-24

预估到期

2023-01-23

专利基础信息

申请号	CN201320036064.8	申请日	2013-01-23
授权公布号	CN203085632U	授权公告日	2013-07-24
分类号	H01L33/42
分类	基本电气元件;
申请人名称	同方股份有限公司
申请人地址	北京市海淀区清华同方科技广场A座29层

专利法律状态

2021-01-01

专利权的终止

状态信息

未缴年费专利权终止；IPC(主分类):H01L 33/42；专利号:ZL2013200360648；申请日:20130123；授权公告日:20130724；终止日期:20200123
2015-06-10

专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

状态信息

专利实施许可合同备案的生效；IPC(主分类):H01L 33/42；合同备案号:2015990000186；让与人:同方光电科技有限公司、同方股份有限公司；受让人:南通同方半导体有限公司；实用新型名称:用于发光二极管的透明导电薄膜；申请日:20130123；授权公告日:20130724；许可种类:独占许可；备案日期:20150413
2013-07-24

实用新型专利权授予

状态信息

授权

摘要

用于发光二极管的透明导电薄膜，涉及光电技术领域。本实用新型透明导电薄膜置于发光二级管外延片的上表面。其结构特点是，所述透明导电薄膜从下至上包括接触层和主体层。接触层的载流子浓度高于主体层的载流子浓度，接触层的光吸收率高于主体层的光吸收率。同现有技术相比，本实用新型能在降低芯片正向电压的同时有效提高芯片亮度。

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